Ученые МФТИ нашли способ повысить энергоэффективность 3D-печати транзисторов
Сотрудники лаборатории полупроводниковых оксидных материалов Московского физико-технического института создали материалы на основе полупроводника — сложного оксида индия, галлия и цинка. Поиск реагентов для низкотемпературного синтеза показал, что использование глицерина и нагрев до 500°С обеспечивают формирование частиц этого материала размером не более тридцати нанометров. Результаты открывают возможность повышения доступности технологий 3D-печати транзисторов благодаря снижению энергозатрат.